ZQ Calibration

ZQ 캘리브레이션

ZQ 캘리브레이션은 DDR 메모리 시스템에서 메모리 셀과 컨트롤러 간 신호 품질을 최적화하기 위해 수행되는 중요한 절차입니다. 이를 통해 데이터 전송의 안정성을 보장하고 전력 효율성을 향상시킬 수 있습니다.

1. ZQ 캘리브레이션의 역할

• 출력 드라이버 임피던스 (RON): 전송 라인과의 매칭을 위해 DRAM의 출력 드라이버 임피던스를 제어합니다.
• 온다이 종단 저항 (RTT): 버스에서 신호 반사를 최소화하기 위해 종단 저항을 조정합니다.

2. ZQ 캘리브레이션이 수행되는 시점

• 전원 초기화 시: 시스템 시작 시 전기적 특성을 보장합니다.
• 모드 레지스터 설정 (MRS): DRAM 작동 모드 변경 시 임피던스 값을 업데이트합니다.
• 주기적 캘리브레이션: 온도 변화나 전압 변동에 대응하여 자동으로 수행됩니다.
• 수동 요청: 메모리 컨트롤러에 의해 명시적으로 트리거될 수 있습니다.

3. ZQ 캘리브레이션 과정

• 참조 저항 연결: ZQ 핀이 PCB의 정밀 참조 저항(일반적으로 240Ω)과 연결되어 캘리브레이션 기준을 제공합니다.
• 임피던스 측정: DRAM이 내부 임피던스를 참조 저항과 비교하여 RON 및 RTT를 조정합니다.
• 캘리브레이션 신호 타이밍: 메모리 작동이 일시적으로 중단되는 특정 지연 시간이 필요합니다.

4. ZQ 캘리브레이션의 결과 및 장점

• 신호 무결성 향상: 링잉 및 신호 반사를 줄여줍니다.
• 데이터 신뢰성: 신호 품질 저하로 인한 비트 오류를 최소화합니다.
• 전력 효율: 최적화된 종단 저항을 통해 불필요한 전력 소비를 방지합니다.
• 확장성: 더 높은 주파수에서 메모리 시스템이 안정적으로 작동할 수 있습니다.

5. ZQ 캘리브레이션 순서도

ZQ 핀과 참조 저항 연결

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내부 임피던스 측정

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RON 및 RTT 조정

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캘리브레이션 완료 및 메모리 작동 재개